X射線透射檢測(cè):芯片失效分析好幫手
來(lái)源:材料與測(cè)試
圖片來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)
X射線透射檢測(cè)是一種無(wú)需拆解芯片封裝,就能探測(cè)到內(nèi)部結(jié)構(gòu)的無(wú)損檢測(cè)方法。
X射線的透射率取決于材料的質(zhì)量和厚度。一般情況下,鋁、硅等材料的原子質(zhì)量較小,透射率高,較難分辨;金、銅、鐵、焊料(銀、鉛、鉍、錫)等的原子質(zhì)量較大,透射率低,比較易于分辨。同時(shí),X射線透過(guò)材料后的強(qiáng)度隨材料的吸收系數(shù)和厚度呈指數(shù)衰減。
X射線可以用于確定引線鍵合的狀態(tài)(布線狀態(tài),是否開(kāi)路、短路)、焊片狀態(tài)以及是否產(chǎn)生空洞,如圖1、圖2所示。此外,聚焦的X射線(1微米-10微米)還能用于微區(qū)分析,作為CSP(芯片尺寸封裝)和TCP(載帶封裝)的強(qiáng)有力的失效分析手段。
圖1 引線布線的X射線透視圖
圖2 CSP封裝中的金凸點(diǎn)意外連接引起的短路
相較于二維X射線檢測(cè),三維X射線檢測(cè)更具優(yōu)勢(shì),因?yàn)樗哂蟹謱庸δ堋?/strong>
計(jì)算機(jī)掃描層析技術(shù)可以提供傳統(tǒng)成像技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的二維切面或三維立體表現(xiàn)圖,且避免了影響重疊、混淆真實(shí)缺陷的現(xiàn)象,可以更準(zhǔn)確地辨識(shí)物體內(nèi)部的缺陷位置。
讓我們來(lái)看一個(gè)奔騰4處理器的失效案例。
圖3展示的是一幅二維透射成像圖。硅焊片表面有九層銅金屬化層。這張圖片是在相稱模式下拍攝得到的畫面(X射線能量8keV)。為了增加X(jué)射線的透射率,硅焊片的厚度由背面減薄至70微米左右。我們發(fā)現(xiàn)在該模式下,各層的圖像相互堆疊,很難辨別清楚不同層之間銅線的分布。
圖3 二維投影圖像。硅的厚度為70微米,在其上面分布著九層相互垂直的銅金屬化層。
但是,通過(guò)層析技術(shù)我們可以獲得三維圖像,這樣各層之間的結(jié)構(gòu)就會(huì)分立開(kāi)來(lái),我們能夠清楚地判斷每一層上銅線的情況。本案例中,我們可以拍攝到140度范圍內(nèi)的三維透射圖像(受樣品架旋轉(zhuǎn)角度的限制),如圖4所示。
圖4 硅襯底芯片的三維圖像
進(jìn)一步通過(guò)計(jì)算機(jī)對(duì)圖像進(jìn)行處理和合成,我們可以將圖4的三維圖像中的每一層都剝離開(kāi)來(lái),得到每一層上的銅線分布情況,即二維切面圖,如圖5所示。這是真正意義上的層析手法。
圖5 由上至下分別表示九個(gè)銅金屬化層。明線表示銅線,暗點(diǎn)表示硅或空洞。第七張圖中可觀察到銅線中夾雜著100nm左右的空洞。該處X射線成像的分辨率達(dá)到50nm,清晰地展現(xiàn)了缺陷位置。
在失效分析過(guò)程中,故障隔離和失效定位可以通過(guò)多種手段實(shí)現(xiàn),如電子探針、I/V曲線量測(cè)儀、顯微紅外熱成像分析、液晶熱點(diǎn)檢測(cè)、光發(fā)射顯微分析、磁電流映射、激光掃描、電子束等。定位完成后,使用掃描電子顯微鏡(SEM)或透射電子顯微鏡(TEM)進(jìn)一步分析失效區(qū)域,這一步驟需要和拋光打磨或聚焦離子束(FIB)切割配合使用,如此一來(lái),難免對(duì)樣品造成物理破壞,甚至可能造成失效區(qū)的消失,或偽失效區(qū)的產(chǎn)生。
基于納米層析技術(shù)的X射線透射檢測(cè)能夠很好地解決物理破壞的問(wèn)題。
因?yàn)槔肵射線透射技術(shù)無(wú)需剝層就能直接觀察到失效區(qū)域的形貌,是一種可靠的無(wú)損檢測(cè)方法。在圖6和圖7所示的案例中,分析人員通過(guò)層析掃描定位出因?yàn)殡娺w移測(cè)試而消失的空洞所在的金屬化層。
圖6 二維X射線成像圖。該區(qū)域中有可能出現(xiàn)消失的空洞或者其他缺陷。
圖7 層析掃描圖。清晰定位出消失的空洞所在的金屬化層。
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